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蓄 势 待 发
开幕时间：8月26日
2025年深圳国际电子展倒计时！
深圳会展中心（福田）
1馆——1D22
四川民承电子有限公司
诚邀广大客户朋友们前来观展
期待与您线下相见~
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展出亮点
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SiC MOS
导通：15mR-300mR
典型封装：TO-247-4L
特 点
01
对JFET区的设计及栅氧层工艺优化，实现栅氧长期可靠、极低导通及开关损耗；
02
对Pwell离子注入及栅氧厚度的优化，实现灵活的阈值设计；
03
通过对K值、阈值的设计，可支持零栅压关断，应用简单。
主 要 应 用
工业电源、光伏储能逆变、充电桩、新能源汽车等领域。
1
SJ- MOS
导通：22mR-1200mR
典型封装：TO-247L
特 点
01
外延位错缺陷少，产品漏电小，高温及长期可靠性更高；
02
C-V曲线变化平缓，栅极震荡更低，有利于EMI的改善；
03
通过载流子寿命控制技术减少小体二极管反向恢复时间，改善体二极管软度。
主 要 应 用
工业电源、光伏微逆变、OBC、服务器电源、直流充电桩等。
1
SGT MOS
导通：0.7mR-240mR
典型封装：TOLT
特 点
01
产品具有极优的FOM，将器件损耗到最低；
02
极低的RSP，功率密度更大，使用体积要求更高场景；
03
SGT结构屏蔽栅漏电容，大幅降低Cgd，增加开关速度。
主 要 应 用
BLDC、BMS、光伏微逆变、MPPT、服务电源等。
1
Trench FS-IGBT
导通：15A-600A
典型封装：TO-247PLUS
特 点
01
最新一代的微沟槽-场截止型IGBT，功率密度更大；
02
更优的过剩载流子和关态电场分布，实现BV、Vceon和Eoff的良好折中；
03
通过饱和区电流抑制技术，有效提升器件短路能力。
主 要 应 用
电机控制、储能电源、光伏逆变、变频器等。
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好礼相送
欢迎大家到现场观展交流
大家到现场扫描二维码
可以领取精美小礼品一份
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展位图
展位号：1馆——1D22
/ 四川民承电子 /
MC—Power Semiconductor
四川民承电子有限公司成立于2017年，现位于成都电子科大科技园，是一家致力于功率器件设计、生产、销售和应用服务的高新技术企业。
应用在光伏逆变、PCS、充电桩、OBC、BMS、MPPT、电机驱动、变频器、工业电源、适配器、家电等消费、工控和汽车领域。
●一文了解碳化硅（SiC)MOSFET的性能优势及应用（下篇）
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